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四川硅晶碇切片胶,导电 ,电子涂料 ,DAF膜 |
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深硅刻蚀设备
通常情况下,制造硅通孔(经常穿透多层⾦属和绝缘材料)采用深反 应离⼦刻蚀
技术(DRIE),常用的深硅刻蚀技术又称为“Bosch(博⽒)” ⼯艺,有初发明该项
技术的公司命名。 如下图所示,⼀个标准Bosch⼯艺循环包括选择性刻蚀和钝
化两个步 骤,其中选择性刻蚀过程采用的是SF6和O2两种⽓体,钝化过程采用
的是 C4F8⽓体。在Bosch⼯艺过程中,利用SF6等离⼦体刻蚀硅衬底,接
着利用C4F8等离⼦体作为钝化物沉积在硅衬底上,在这些⽓体中加⼊O2 等离
⼦体,能够有效控制刻蚀速率与选择性。因此,在Bosch刻蚀过程中 很自然地
形成了⻉壳状的刻蚀侧壁。
电镀铜填充设备
很多成本模型显示,TSV填充⼯艺是整个⼯艺流程中昂贵的步骤之⼀。 TSV
的主要成品率损耗之⼀是未填满的空洞。电镀铜⼯艺作为合适的硅 通孔填充
技术受到业内的普遍关注,其关键技术在于TSV⾼深宽比(通常 ⼤于10:1)通孔的
全填充电镀技术。
基于玻璃通孔的MEMS封装
2013年,LEE等利用玻璃穿孔技术实现射频MEMS器件的晶圆级封装, 采用电
镀⽅案实现通孔的完全填充,通过该⽅案制作的射频MEMS器件在 20GHz时具
有0.197dB的低插⼊损耗和20.032dB的⾼返回损耗。2018年, LAAKSO等创造性
地使用磁辅助组装的⽅式来填充玻璃通孔,并用于 MEMS器件的封装中。
北京汐源科技有限公司
LED、电源、新能源行业胶黏剂供应商,技术人员提供整体用胶解决方案。
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