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CSD88537ND,TI原装集成电路

更新时间:2024-11-29 03:42:24 编号:752i51inue97fa
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周玉军

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CSD88537ND,TI原装集成电路

关键词
TI原装集成电路
面向地区

TI德州仪器音频 IC
TAS5558DCAR
具有 SRC 和 PWM 输出的 8 通道高清兼容音频处理器
TAS5558 的特性
一般特性
8 通道异步采样率转换器
针对 32-192kHz(ARSC 至 96kHz)的 8 通道音频处理
频率为 192kHZ 的 4 通道本地音频处理
用于实现 DTS-HD 兼容性的 30kHz 音频带宽
用于总体系统功率控制的能量管理器
电源音量控制
TAS5558 的说明
TAS5558 是一款具有数字音频处理功能和采样率转换器的 8 通道数字脉宽调制器 (PWM),具备的性能和较高的系统集成度。 TAS5558被设计用于支持 DTS-HD 规格蓝光 HTiB 应用。 ASRC 包含两个立的模块,每个模块可处理 4 个通道。 因此,它能够支持多达两个不同的输入采样率。

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品:
CSD93501-Q1 - 新产品 - Synchronous buck monolithic smart power stage
CSD95420RCB - 50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power stage
CSD95410RRB - 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级
CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级
CSD86356Q5D - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块
CSD86336Q3D - 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

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